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  • Repuestos cerámicos para equipos de sonda de semiconductores

    Repuestos cerámicos para equipos de sonda de semiconductores

    Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.

    Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.

  • Portador de equipos semiconductores de placa cerámica

    Portador de equipos semiconductores de placa cerámica

    Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.

    Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.

  • Repuestos cerámicos para equipos semiconductores

    Repuestos cerámicos para equipos semiconductores

    Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.

    Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.

  • Anillo de sellado cerámico de alúmina de alta pureza para el sellado de cámaras de alta temperatura.

    Anillo de sellado cerámico de alúmina de alta pureza para el sellado de cámaras de alta temperatura.

    El anillo de sellado cerámico de St.Cera está diseñado como una alternativa a las juntas tóricas de polímero en entornos extremos donde los elastómeros se degradan. Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, este anillo de sellado rígido se utiliza en aplicaciones de sellado estático —generalmente combinado con una junta de metal blando o grafito— para proporcionar un vacío o contención de gases fiable a temperaturas de hasta 800 °C y en entornos agresivos de plasma o químicos. El material ofrece cero desgasificación, alta resistencia a la compresión (resistencia a la flexión subyacente de 361 MPa) e inercia química (resistente a halógenos, ácidos y álcalis, excepto HF). Las superficies de sellado lapeadas con precisión (planitud ≤5 μm, rugosidad superficial Ra ≤0,2 μm) garantizan un contacto hermético con los componentes metálicos o cerámicos correspondientes.

  • Anillo de enfoque de cámara de alúmina de alta pureza para sistemas de grabado por plasma y CVD.

    Anillo de enfoque de cámara de alúmina de alta pureza para sistemas de grabado por plasma y CVD.

    El anillo de enfoque de la cámara de St.Cera es un componente crítico del kit de proceso utilizado en equipos de grabado por plasma, CVD y PVD para semiconductores. Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, el anillo rodea el borde de la oblea para confinar el plasma y optimizar la distribución angular de los iones, mejorando así la uniformidad del grabado en toda la superficie de la oblea. El material ofrece una excepcional resistencia al plasma, una alta rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m) y una estabilidad térmica de hasta 1600 °C, lo que garantiza una fiabilidad a largo plazo en entornos de plasma agresivos a base de flúor o cloro. El diámetro interior/exterior rectificado con precisión y la planitud (≤10 μm) permiten un posicionamiento preciso del borde de la oblea, reduciendo los defectos de borde y la generación de partículas.

  • Anillo cerámico de alúmina de alta pureza para cámaras de proceso CVD/PVD

    Anillo cerámico de alúmina de alta pureza para cámaras de proceso CVD/PVD

    El anillo cerámico de St.Cera está diseñado específicamente para su uso en cámaras de proceso CVD (deposición química en fase vapor) y PVD (deposición física en fase vapor). Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, este anillo sirve como revestimiento de cámara, anillo de enfoque o componente de kit de proceso para confinar el plasma y proteger las paredes de la cámara de la erosión. El material ofrece una excelente resistencia al plasma, una alta rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m) y una estabilidad térmica de hasta 1600 °C, lo que garantiza una larga vida útil en entornos de plasma agresivos a base de flúor. Las tolerancias dimensionales precisas (±0,05 mm en DI/DE) y la planitud (≤10 μm) permiten un posicionamiento consistente del borde de la oblea, mejorando la uniformidad de la deposición y reduciendo la generación de partículas.

  • Efector final cerámico Bernoulli: manipulación sin contacto de obleas delgadas y frágiles.

    Efector final cerámico Bernoulli: manipulación sin contacto de obleas delgadas y frágiles.

    El efector final cerámico Bernoulli de St.Cera utiliza sustentación aerodinámica para manipular obleas sin contacto físico. Fabricado con alúmina (Al₂O₃) o carburo de silicio (SiC) de alta pureza (99,8 %), incorpora boquillas mecanizadas con precisión que expulsan gas a presión para crear una fina película de aire entre el efector final y la oblea. Este principio sin contacto elimina la contaminación de la parte posterior, el astillamiento de los bordes y los daños en la superficie, lo que lo hace ideal para obleas delgadas (≤100 μm), frágiles o deformadas. El sustrato cerámico ofrece una alta resistencia a la flexión (361 MPa para Al₂O₃; hasta 550–600 MPa para SiC), baja masa y excelente estabilidad dimensional, lo que garantiza un posicionamiento repetible en robots de transferencia de obleas de alta velocidad.

  • Componentes cerámicos de alúmina de alta pureza para aplicaciones industriales y de semiconductores.

    Componentes cerámicos de alúmina de alta pureza para aplicaciones industriales y de semiconductores.

    St.Cera fabrica piezas cerámicas de alúmina (Al₂O₃) mecanizadas con precisión según las especificaciones del cliente. Utilizando alúmina de alta pureza (99,8 %), estos componentes ofrecen una excelente resistencia a la flexión (361 MPa), una elevada dureza (16 GPa) y una excepcional rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m). Diseñado para equipos semiconductores, conjuntos resistentes al desgaste, aislantes eléctricos y accesorios para altas temperaturas, el material presenta una absorción de agua prácticamente nula (0 %) y un coeficiente de dilatación térmica de 7,2 × 10⁻⁶/°C, lo que garantiza la estabilidad dimensional en condiciones extremas.

  • Plato de vacío de cerámica porosa para la manipulación de obleas deformadas

    Plato de vacío de cerámica porosa para la manipulación de obleas deformadas

    El soporte cerámico poroso de St.Cera está fabricado con alúmina de alta pureza, con una porosidad abierta uniforme del 30 al 45 % y tamaños de poro que oscilan entre 10 y 100 μm. A diferencia de los soportes ranurados convencionales, la superficie porosa proporciona un vacío distribuido por toda la parte posterior de la oblea, sujetando eficazmente obleas deformadas, delgadas o individuales sin que se desprendan los bordes ni se rompan. El suave vacío (ajustable mediante un limitador) también evita marcas en la parte posterior.

  • Plato de vacío de cerámica porosa a base de alúmina para la manipulación de obleas delgadas

    Plato de vacío de cerámica porosa a base de alúmina para la manipulación de obleas delgadas

    El soporte poroso de alúmina de St.Cera está fabricado con Al₂O₃ de alta pureza (99,6 %) con una porosidad abierta controlada del 30 al 45 % y un tamaño de poro uniforme de entre 10 y 50 μm. A diferencia de los soportes ranurados, la superficie porosa proporciona un vacío distribuido en toda la parte posterior de la oblea, eliminando las marcas en los bordes y permitiendo una sujeción suave de obleas ultrafinas (≤100 μm) o deformadas. El material ofrece una resistencia a la flexión de ≥250 MPa y una estabilidad térmica de hasta 400 °C en aire.

  • Placa de distribución de gas de alúmina para cabezal de ducha CVD/PVD

    Placa de distribución de gas de alúmina para cabezal de ducha CVD/PVD

    La placa de distribución de gas (tipo ducha) de St.Cera está mecanizada con precisión a partir de cerámica de alúmina de alta pureza (99,8 %). Presenta una matriz de microorificios (de 0,3 a 1,5 mm de diámetro) que garantizan un flujo de gas uniforme sobre la superficie de la oblea durante los procesos CVD, PVD o ALD. Su alta rigidez dieléctrica (>15 × 10⁶ V/m) y su resistencia al plasma la hacen esencial para la deposición de películas delgadas de semiconductores.

  • Pasador de soporte cerámico para dispositivos de fijación en procesos de semiconductores.

    Pasador de soporte cerámico para dispositivos de fijación en procesos de semiconductores.

    Los pasadores de soporte cerámicos de St.Cera (también conocidos como pasadores de elevación o de soporte) se utilizan en las cámaras de procesamiento de semiconductores para elevar las obleas o sustratos durante su manipulación, calentamiento o enfriamiento. Fabricados con alúmina o nitruro de silicio al 99,8%, estos pasadores ofrecen alta resistencia a la compresión, estabilidad térmica y resistencia química. Su diseño de punta hemisférica o plana evita que la oblea se raye.