Anillo cerámico de alúmina de alta pureza para cámaras de proceso CVD/PVD
El anillo cerámico de St.Cera está diseñado específicamente para su uso en cámaras de proceso CVD (deposición química en fase vapor) y PVD (deposición física en fase vapor). Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, este anillo sirve como revestimiento de cámara, anillo de enfoque o componente de kit de proceso para confinar el plasma y proteger las paredes de la cámara de la erosión. El material ofrece una excelente resistencia al plasma, una alta rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m) y una estabilidad térmica de hasta 1600 °C, lo que garantiza una larga vida útil en entornos de plasma agresivos a base de flúor. Las tolerancias dimensionales precisas (±0,05 mm en DI/DE) y la planitud (≤10 μm) permiten un posicionamiento consistente del borde de la oblea, mejorando la uniformidad de la deposición y reduciendo la generación de partículas.
Especificaciones (basadas en Al₂O₃ al 99,8%):
| Propiedad | Valor |
| Material | Alúmina al 99,8% (Marfil) |
| Densidad | 3,93 g/cm³ |
| Absorción de agua | 0% |
| Resistencia a la flexión | 361 MPa |
| Tenacidad a la fractura | 3–4 MPa·m¹/² |
| Dureza Vickers | 16 GPa |
| Módulo de Young | 380 GPa |
| Conductividad térmica | 32 W/m·k |
| Expansión térmica (25–1000 °C) | 7,2×10⁻⁶/℃ |
| Fuerza dieléctrica | 15×10⁶ V/m |
| Resistencia específica | >10¹⁴ Ω·cm |
| Temperatura máxima de funcionamiento | 1600°C |
Aplicaciones:
- · Anillos de enfoque de la cámara CVD y anillos de borde
- · Anillos de protección de la cámara y anillos de sujeción PVD
- · Grabar los revestimientos de la cámara y los anillos de cubierta.
- • Anillos de confinamiento de plasma en sistemas de grabado dieléctrico
Proceso de fabricación:
Prensado isostático → mecanizado en verde → sinterización a 1600 °C → rectificado CNC de diámetro interior/exterior → lapeado superficial → limpieza ultrasónica → inspección CMM al 100 %. El acabado superficial ultrasuave (Ra ≤0,4 μm) minimiza la adhesión de partículas.
Control de calidad:
- • Verificación dimensional al 100% (diámetro interior, diámetro exterior, espesor, planitud)
- • Inspección con líquidos penetrantes para detectar microfisuras superficiales.
- • Ensayo de rigidez dieléctrica según ASTM D149
- • No se observa decoloración ni porosidad bajo microscopio de 20×
Ventajas sobre los anillos de metal o cuarzo:
- • Vida útil entre 5 y 10 veces mayor que la de los anillos de aluminio en plasma de flúor.
- • Ausencia de contaminación metálica en películas delgadas
- • Mayor resistencia al plasma que el cuarzo (sin picaduras de erosión)
- • Mantiene el aislamiento eléctrico >10¹⁴ Ω·cm incluso después de un uso prolongado.
Material alternativo: nitruro de silicio (Si₃N₄):
Para aplicaciones que requieren una mayor tenacidad a la fractura (6,2 MPa·m¹/²) y una mejor resistencia al choque térmico (coeficiente de expansión de 3,2 × 10⁻⁶/℃), disponemos de anillos de Si₃N₄. Sin embargo, la alúmina resulta más rentable para la mayoría de las aplicaciones de CVD/PVD. Por favor, indique su preferencia de material al realizar el pedido.
Personalización:
- • Orificios pasantes, perfiles escalonados o avellanados para el montaje
- • Superficie recubierta de Y₂O₃ para una mayor resistencia al plasma (opcional)
- • Grabado láser del número de pieza/código de lote
Nota:Los datos anteriores se ajustan estrictamente a la tabla de propiedades de Al₂O₃ proporcionada. Para los anillos de Si₃N₄, consulte la hoja de datos de Si₃N₄ que se incluye por separado.
